太陽(yáng)能電池組件即多個(gè)單體太陽(yáng)能電池互聯(lián)封裝成為組件。它是具有外部封裝及內(nèi)部連接、能單獨(dú)提供直流電輸出的最小不可分割的太陽(yáng)能電池組合裝置。單個(gè)太陽(yáng)能電池往往因?yàn)檩敵鲭妷禾停敵鲭娏鞑缓线m，晶體硅電池本身又比較脆，難以獨(dú)立抵御外界惡劣條件。因而在實(shí)際使用中需要把單體太陽(yáng)能電池進(jìn)行串、并聯(lián)。并加以封裝，接觸外連電線(xiàn)，成為可以獨(dú)立作為光伏電源使用的太陽(yáng)能電池組件。也稱(chēng)光伏組件。

　　硅太陽(yáng)能電池可分為：?jiǎn)尉Ч杼?yáng)能電池、多晶硅薄膜太陽(yáng)能電池、非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池。

　　單晶硅太陽(yáng)能電池：是以高純的單晶硅棒為原料的太陽(yáng)能電池，其轉(zhuǎn)換效率最高，技術(shù)也最為成熟。高性能單晶硅電池是建立在高質(zhì)量單晶硅材料和相關(guān)的熱加工處理工藝基礎(chǔ)上。

　　1. 非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池：所采用的硅為a-Si。其基本結(jié)構(gòu)不是pn結(jié)而是pin結(jié)。摻硼形成p區(qū)，摻磷形成n區(qū)，i為非雜質(zhì)或輕摻雜的本征層。

　　突出特點(diǎn)：材料和制造工藝成本低;制作工藝為低溫工藝(100-300℃)，耗能較低;易于形成大規(guī)模生產(chǎn)能力，生產(chǎn)可全流程自動(dòng)化;品種多，用途廣。

　　2. 存在問(wèn)題：光學(xué)帶隙為1.7eV→對(duì)長(zhǎng)波區(qū)域不敏感→轉(zhuǎn)換效率低;光致衰退效應(yīng)：光電效率隨著光照時(shí)間的延續(xù)而衰減;解決途徑：制備疊層太陽(yáng)能電池，即在制備的p-i-n單結(jié)太陽(yáng)能電池上再沉一個(gè)或多個(gè)p-i-n子電池制得;生產(chǎn)方法：反應(yīng)濺射法、PECVD法、LPCVD法;反應(yīng)氣體： H2稀釋的SiH4;襯底材料：玻璃、不銹鋼等。

　　3. 多晶硅薄膜太陽(yáng)電池：是將多晶硅薄膜生長(zhǎng)在低成本的襯底材料上，用相對(duì)薄的晶體硅層作為太陽(yáng)電池的激活層， 不僅保持了晶體硅太陽(yáng)電池的高性能和穩(wěn)定性， 而且材料的用量大幅度下降， 明顯地降低了電池成本。多晶硅薄膜太陽(yáng)電池的工作原理與其它太陽(yáng)電池一樣， 是基于太陽(yáng)光與半導(dǎo)體材料的作用而形成光伏效應(yīng)。

　　4. 常用制備方法：低壓化學(xué)氣相沉積法(LPCVD);等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECV)液相外延法(LPPE);濺射沉積法;反應(yīng)氣體SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4或SiH4;↓(一定保護(hù)氣氛下)

　　多晶硅薄膜電池由于所使用的硅較單晶硅少，又無(wú)效率衰退問(wèn)題，并且有可能在廉價(jià)襯底材料上制備，其成本遠(yuǎn)低于單晶硅電池，而效率高于非晶硅薄膜電池，因此，多晶硅薄膜電池不久將會(huì)在太陽(yáng)能電地市場(chǎng)上占據(jù)主導(dǎo)地位。

　　光伏組件生產(chǎn)完成需要對(duì)其進(jìn)行電性能測(cè)試和缺陷檢測(cè)，主要檢測(cè)組件的功率、轉(zhuǎn)化效率、組件內(nèi)部缺陷、外觀(guān)缺陷等，就需要用到組件IV測(cè)試儀和EL外觀(guān)缺陷檢測(cè)儀等設(shè)備進(jìn)行檢測(cè)。方可根據(jù)光伏組件功率進(jìn)行分類(lèi)。